Paralelo del almacenamiento de datos de los ICs de la memoria de DS1250Y-70IND+ NVRAM 512kx8

Descripción de producto

Original paralela del almacenamiento de datos de los ICs de la memoria de DS1250Y-70IND+ NVRAM

CARACTERÍSTICAS
10 años de retención mínima de los datos en el theabsence de la alimentación externa
Los datos se protegen automáticamente durante apagón
Substituye 512k x 8 RAM estático, EEPROM o memoria Flash volátil
Ilimitado escriba los ciclos
Cmos de baja potencia
Lectura y escribir tiempos de acceso de 70ns
La fuente de energía del litio se desconecta eléctricamente para conservar frescura hasta que el poder se aplique por primera vez
Por completo rango de operación VCC del ±10% (DS1250Y)
Rango de operación del ±5% VCC opcional (DS1250AB)
La gama de temperaturas industrial opcional de -40°C a +85°C, señaló el IND
Paquete de la INMERSIÓN del perno del estándar 32 de JEDEC
Paquete del módulo de PowerCap (PCM)
- Módulo directamente superficie-aumentable
- PowerCap de resorte reemplazable proporciona la batería de reserva del litio
- Pinout estandardizado para todos los productos permanentes de SRAM
- La característica de la separación en el PCM permite retiro fácil usando un destornillador regular