Chips de memoria 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V de SRAM 2Mb EMMC

Descripción de producto

IS61LV2568L-10T SMD/SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

CARACTERÍSTICAS

• Tiempo de acceso de alta velocidad: 8, 10 ns

• Actual de funcionamiento: 50mA (tipo.)

• Corriente espera: 700µA (tipo.)

• Pernos de centro múltiples del poder y de la tierra para la mayor inmunidad de ruido

• Extensión de memoria fácil con opciones del CE y de OE

• Poder-abajo del CE

• Entradas y salidas compatibles de TTL

• Sola fuente de alimentación 3.3V

• Paquetes disponibles: – perno 36 SOJ de 400 milipulgadas – 44 perno TSOP (tipo II)

• Disponible sin plomo

DESCRIPCIÓN

El ISSI IS61LV2568L es un muy de alta velocidad, energía baja, palabra 262.144 por Cmos de 8 bits RAM estático. El IS61LV2568L se fabrica usando la tecnología de alto rendimiento del Cmos de ISSI.

Este proceso altamente confiable juntado con técnicas de diseño innovadoras de circuito, rinde los dispositivos de un rendimiento más alto y del bajo consumo de energía. Cuando el CE está ARRIBA (no reelegido como candidato), el dispositivo asume un modo espera en el cual la disipación de poder se pueda reducir abajo a 36mW (máximo) con los niveles de introducción de datos del Cmos.

El IS61LV2568L actúa desde una sola fuente de alimentación 3.3V y todas las entradas son TTL-compatibles. El IS61LV2568L está disponible en 36 el perno SOJ de 400 milipulgadas y 44 el perno TSOP (tipo paquetes de II).