COPITA DDR4 8G 512MX16 de los chips de memoria de MT40A512M16LY-075-E EMMC

Descripción de producto

Almacenamiento de datos original de la memoria de la COPITA DDR4 8G 512MX16 FBGA de MT40A512M16LY-075-E

Características

• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV

• VPP = 2.5V, – 125mV, +250mV

• En-dado, generación interna, ajustable de VREFDQ

• pseudo entrada-salida del abierto-dren 1.2V

• Restaure la época del ciclo 8192 en la gama de temperaturas del TC: – 64ms en -40°C a 85°C – 32ms en >85°C a 95°C – 16ms en >95°C a 105°C

• 16 bancos internos (x4, x8): 4 grupos de 4 bancos cada uno

• 8 bancos internos (x16): 2 grupos de 4 bancos cada uno • arquitectura del prefetch 8n-bit

• Preámbulos programables del estroboscópico de los datos

• Entrenamiento del preámbulo del estroboscópico de los datos

• Estado latente del comando/de la dirección (calorías)

• LECTURA multiusos del registro y ESCRIBIR capacidad

• Nivelación Write

• El uno mismo restaura modo

• El uno mismo auto de baja potencia restaura (LPASR)

• De temperatura controlada restaure (TCR)

• La granulosidad fina restaura

• El uno mismo restaura la interrupción

• Ahorro de energía máximo

• Calibración del conductor de la salida

• Nominal, parque, y terminación dinámica del en-dado (ODT)

• Inversión del ómnibus de datos (DBI) para el ómnibus de datos

• Comando/paridad de la dirección (CA)

• Databus escribe el control por redundancia cíclica (el CRC)

• Direccionabilidad de la Por-COPITA

• Prueba de la conectividad

• JEDEC JESD-79-4 obediente

• capacidad del sPPR y del hPPR