MOSFET discreto del chip CI del transistor de los semiconductores de TK30E06N1 S1X a través del agujero

Descripción de producto

TK30E06N1, MOSFET discreto de los transistores de los semiconductores de S1X a través del agujero

. Ofrece (1) en-resistencia baja de la dren-fuente: MΩ 12,2 del RDS (ENCENDIDO) = (tipo.) (VGS = 10 V)

(2) corriente baja de la salida: IDSS = µA 10 (máximo) (VDS = 60 V)

(3) modo del aumento: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, identificaciones = 0,2 mA)