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Inicio ProductosChip CI del transistorMOSFET discreto IC de los semiconductores del chip CI CA3020A TGS2600 del transistor de IRFB3207ZPBF
IRFB3207ZPBF Transistor IC Chip CA3020A TGS2600 Discrete Semiconductors MOSFET IC
IRFB3207ZPBF Transistor IC Chip CA3020A TGS2600 Discrete Semiconductors MOSFET IC IRFB3207ZPBF Transistor IC Chip CA3020A TGS2600 Discrete Semiconductors MOSFET IC

MOSFET discreto IC de los semiconductores del chip CI CA3020A TGS2600 del transistor de IRFB3207ZPBF

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Nombre de la marca: Original
Certificación: ISO9001:2015standard
Número de modelo: IRFB3207ZPBF
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: Contact us to win best offer
Detalles de empaquetado: Estándar
Tiempo de entrega: 1-3 días laborables
Condiciones de pago: T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 10000 meses de las PC
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  • Información detallada
  • Descripción de producto

Información detallada
Montaje de estilo: A través del agujero Paquete/caso: TO-220-3
Polaridad del transistor: Canal N Número de canales: 1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 75 V Identificación - corriente continua del dren: 170 A
Alta luz:

Chip CI del transistor de IRFB3207ZPBF

,

Chip CI del transistor del MOSFET

,

A través del OEM del MOSFET IC del agujero

Descripción de producto

Semiconductores discretos de los transistores CA3020A TGS2600 del MOSFET de IRFB3207ZPBF

 

Usos

  • Rectificación síncrona de la eficacia alta en SMPS
  • Sistema de alimentación ininterrumpida
  • Transferencia de alta velocidad del poder
  • Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia

Ventajas

 

  • Puerta mejorada, avalancha y aspereza dinámica de dv/dt
  • Capacitancia completamente caracterizada y avalancha SOA
  • Diodo aumentado dV/dt del cuerpo y capacidad de dI/dt
  • Sin plomo
  • RoHS obediente, Halógeno-libre

 

 

MOSFET discreto IC de los semiconductores del chip CI CA3020A TGS2600 del transistor de IRFB3207ZPBF 0

 

MOSFET
Si
3,3 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Aumento
Tubo
Configuración: Solo
Altura: 15,65 milímetros
Longitud: 10 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Cantidad del paquete de la fábrica: 1000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Anchura: 4,4 milímetros
Parte # alias: IRFB3207ZPBF SP001575584
Peso de unidad: 0,068784 onzas

 

 

 

 

etiqueta:

Semiconductor discreto 625mW de BJT

chip CI del transistor 2N3439

Transistores bipolares MPS6560

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