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Inicio ProductosChip CI del transistortransistor de empalme bipolar 2N3439 IC Chip Through Hole TO393
2N3439 Bipolar Junction Transistor IC Chip Through Hole TO393
2N3439 Bipolar Junction Transistor IC Chip Through Hole TO393

transistor de empalme bipolar 2N3439 IC Chip Through Hole TO393

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Nombre de la marca: original
Certificación: ISO9001:2015standard
Número de modelo: 2N3439
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: Contact us to win best offer
Detalles de empaquetado: Estándar
Tiempo de entrega: 1-3 días laborables
Condiciones de pago: L/C, T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 10000pcs/meses
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  • Información detallada
  • Descripción de producto

Información detallada
Montaje de estilo: A través del agujero Paquete/caso:: TO-39-3
Empaquetado:: Bulto Subcategoría:: EEPROM
Subcategoría: Transistores Paladio - disipación de poder:: 800 mW
Alta luz:

transistor de empalme bipolar 2N3439

,

transistor de empalme bipolar a través del agujero TO393

,

chip CI del transistor 2N3439

Descripción de producto

transistores bipolares de los semiconductores discretos 2N3439 a través del agujero TO-39-3

 

transistor de empalme bipolar 2N3439 IC Chip Through Hole TO393 0

 

 

Fabricante: original
Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
RoHS: N
Montaje de estilo: A través del agujero
Paquete/caso: TO-39-3
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Solo
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo: 350 V
Voltaje bajo VCBO del colector: 450 V
Voltaje bajo VEBO del emisor: 7 V
Voltaje de saturación del Colector-emisor: 500 milivoltio
Corriente de colector máxima de DC: 1 A
Paladio - disipación de poder: 800 mW
Producto pie del ancho de banda del aumento: -
Temperatura de funcionamiento mínima: - 65 C
Temperatura de funcionamiento máximo: + 200 C
Empaquetado: Bulto
Marca: original
Tipo de producto: BJTs - transistores bipolares
Cantidad del paquete de la fábrica: 1
Subcategoría: Transistores
Tecnología: Si
Peso de unidad: 0,213044 onzas

etiqueta:

Semiconductor discreto 625mW de BJT

chip CI del transistor 2N3439

Transistores bipolares MPS6560

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