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Inicio ProductosChip CI del transistorTransistor 7.5A del canal N del MOSFET NFET SO8 30V de NTMD4840NR2G
NTMD4840NR2G MOSFET NFET SO8 30V N Channel Transistor 7.5A
NTMD4840NR2G MOSFET NFET SO8 30V N Channel Transistor 7.5A NTMD4840NR2G MOSFET NFET SO8 30V N Channel Transistor 7.5A

Transistor 7.5A del canal N del MOSFET NFET SO8 30V de NTMD4840NR2G

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Nombre de la marca: original
Certificación: ISO9001:2015standard
Número de modelo: NTMD4840NR2G
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: 0.72-0.85 USD/PCS
Detalles de empaquetado: Estándar
Tiempo de entrega: 1-3 días laborables
Condiciones de pago: T/T, Western Union, palpay
Capacidad de la fuente: 10000pcs/months
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Información detallada
Categoría de producto: MOSFET Paquete/caso: SOIC-8
Nombre de producto: NTMD4840NR2G Montaje de estilo: SMD/SMT
Paquete: Carrete FPQ: 2500
Alta luz:

MOSFET NFET DE NTMD4840NR2G

,

Transistor del canal N de NTMD4840NR2G

,

Transistor del canal N de SO8 30V

Descripción de producto

Transistor del canal N del MOSFET NFET SO8 30V de NTMD4840NR2G

 

MOSFET – Poder, dual, canal N, SOIC-8 30 V, 7,5 A

 

CARACTERÍSTICAS
• RDS bajo (encendido) para minimizar pérdidas de la conducción

• Capacitancia baja para minimizar al conductor Losses

• Carga optimizada de la puerta para minimizar pérdidas que cambian

• El paquete superficial dual del soporte SOIC−8 ahorra el espacio del tablero

• Esto es un dispositivo de Pb−Free

 

Usos

• Accionamientos de disco

• Convertidores de DC−DC

• Impresoras

Transistor 7.5A del canal N del MOSFET NFET SO8 30V de NTMD4840NR2G 0

MOSFET
RoHS: Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
Canal N
Canal 2
30 V
4,5 A
28 mOhms
- 20 V, + 20 V
1,5 V
4,8 nC
- 55 C
+ 150 C
W 1,95
Aumento
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 3 ns
Transconductancia delantera - minuto: 15 S
Altura: 1,5 milímetros
Longitud: 5 milímetros
Producto: Pequeña señal del MOSFET
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 5 ns
Serie: NTMD4840N
Cantidad del paquete de la fábrica: 2500
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: Canal N 2
Tipo: MOSFET del poder
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 17 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 7,6 ns
Anchura: 4 milímetros
Peso de unidad: magnesio 74

etiqueta:

Semiconductor discreto 625mW de BJT

chip CI del transistor 2N3439

Transistores bipolares MPS6560

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