Walton Electronics Co., Ltd.

MOSFET 40V 60V del canal N del chip CI del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Nombre de la marca: Original
Certificación: ISO9001:2015standard
Número de modelo: IPG20N06S4L14AATMA1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: pls contact us
Detalles de empaquetado: Estándar
Tiempo de entrega: 2-3 días laborables
Condiciones de pago: T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: meses 1000pcs/
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Información detallada

Categoría de producto:: MOSFET Montaje de estilo: SMD/SMT
Paquete/caso: TDSON-8 Polaridad del transistor:: Canal N
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 60V nombre de producto: IPG20N06S4L14AATMA1
Alta luz:

Transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1

,

MOSFET 40V del canal N del transistor de poder

,

MOSFET 40V 60V del chip CI del transistor

Descripción de producto

MOSFET 40V 60V del canal N del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1

 

Poder-transistor OptiMOS-T2

 

Características

• Nivel dual de la lógica del canal N - modo del aumento

• El AEC Q101 calificó

• MSL1 hasta flujo del pico 260°C

• temperatura de funcionamiento 175°C

• Producto verde (RoHS obediente)

• La avalancha 100% probó

• Posible para la inspección óptica automática (AOI)

MOSFET 40V 60V del canal N del chip CI del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1 0

 

MOSFET
RoHS: Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
Canal N
Canal 2
60 V
20 A
mOhms 13,7
- 16 V, + 16 V
1,7 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
50 W
Aumento
AEC-Q101
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Configuración: Dual
Altura: 1,27 milímetros
Longitud: 5,9 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Cantidad del paquete de la fábrica: 5000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Anchura: 5,15 milímetros
Parte # alias: IPG20N06S4L-14A SP001023846

 

 

 

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