Datos del producto:
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Lugar de origen: | Original |
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Nombre de la marca: | Original |
Certificación: | ISO9001:2015standard |
Número de modelo: | 25AA02E48T-I/OT |
Pago y Envío Términos:
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Cantidad de orden mínima: | 10pcs |
Precio: | Contact us to win best offer |
Detalles de empaquetado: | Estándar |
Tiempo de entrega: | días 1-3week |
Condiciones de pago: | L/C, T/T, Western Union, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10000pcs/months |
Información detallada |
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Paquete/caja: | SOT-23-6 | Tipo de interfaz: | SPI |
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Memoria: | kbit 2 | Subcategoría: | Almacenamiento de la memoria y de datos |
Peso de unidad: | magnesio 36 | Anchura: | 1,63 milímetros |
Alta luz: | 25AA02E48T-I OT memoria sólo para leer,Memoria sólo para leer eléctricamente borrable,La ROM programable memoria sólo para leer |
Descripción de producto
25AA02E48T-I/OT eléctricamente almacenamiento de datos borrable de la memoria de la memoria sólo para leer programable BAV20-TAP MFRC50001T/0FE
Características
• Global - único preprogramada, pedazo 48 o dirección 64-bit del nodo
• Compatible con EUI-48™ y EUI-64™
• 10 megaciclos de frecuencia de reloj máxima
• Tecnología de baja potencia del Cmos: - El máximo escribe la corriente: 5 mA en 5.5V - actual leída: 5 mA en 5.5V, 10 megaciclos - corriente espera: 1 µA en 2.5V
• organización de 8 bits de 256 x
• Escriba el modo de página (hasta 16 bytes)
• Lectura secuencial
• Borrado Uno mismo-sincronizado y escribir los ciclos (máximo de 5 ms)
• El bloque escribe la protección: - No proteja ninguno, 1/4, el 1/2 o todo el arsenal
• El accesorio escribe la protección: - Poder-en/del conjunto de circuitos de la protección de datos - Write permitir el cierre - perno de la protección de escritura
• Alta confiabilidad: - Resistencia: 1.000.000 borrados/escriben los ciclos - retención de los datos: >200 años - protección del ESD: >4000V
• Las gamas de temperaturas apoyaron:
- (i) industrial: -40 ℃ al ℃ +85
• Pb-libre y RoHS obedientes
Descripción
El Microchip Technology Inc. 25AA02E48/25AA02E64 (25AA02EXX) es una memoria microprogramable borrable serial de 2 Kbit eléctricamente (EEPROM). La memoria está alcanzada vía un autobús serial compatible periférico serial simple del interfaz (SPI). Las señales del autobús requeridas son una entrada de reloj (SCK) más datos separados en (SI) y de los datos líneas hacia fuera (TAN). El acceso al dispositivo se controla a través de una entrada de Chip Select (CS).
Categoría de producto: | EEPROM |
SMD/SMT | |
SOT-23-6 | |
SPI | |
kbit 2 | |
256 x 8 | |
1,8 V | |
5,5 V | |
- 40 C | |
+ 85 C | |
10 megaciclos | |
50 ns | |
200 años | |
5 mA | |
Carrete | |
Corte la cinta | |
Altura: | 1,1 milímetros |
Longitud: | 2,95 milímetros |
Corriente de la fuente de funcionamiento: | 5 mA |
Voltaje de fuente de funcionamiento: | 1,8 V a 5,5 V |
Tipo de producto: | EEPROM |
3000 | |
Subcategoría: | Almacenamiento de la memoria y de datos |
Anchura: | 1,63 milímetros |
Peso de unidad: | 0,001270 onzas |
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