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Inicio ProductosMicroprocesador del circuito integradoMemoria de semiconductor S29GL01GS10TFI010 IC TSOP-56 1 Gbit ni interfaz paralela de destello
S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface
S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface

Memoria de semiconductor S29GL01GS10TFI010 IC TSOP-56 1 Gbit ni interfaz paralela de destello

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Nombre de la marca: Original
Certificación: ISO9001:2015standard
Número de modelo: S29GL01GS10TFI010
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10PCS
Precio: $12.5-16.5/PC
Detalles de empaquetado: Estándar
Tiempo de entrega: 1-3workdays
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 10000pcs/months
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  • Información detallada
  • Descripción de producto

Información detallada
Estilo de la instalación: SMD/SMT Paquete/caso: TSOP-56
Memoria: 1 Gbit Tipo de producto: NI de destello
Peso de unidad: 17.214g
Alta luz:

S29GL01GS10TFI010 memoria IC

,

TSOP-56 memoria IC

,

Ni memoria Flash IC

Descripción de producto

Memoria de semiconductor S29GL01GS10TFI010 IC NI paralelo del FLASH 1G 3V 100NS NI circuitos integrados de destello

 

Especificaciones:

Tamaño de la memoria: 1 Gbit
Voltaje de fuente - minuto: 2,7 V
Voltaje de fuente - máximo: 3,6 V
Tipo de interfaz: Paralelo
Organización: 64 M x 16
Anchura del ómnibus de datos: pedazo 16
Tipo que mide el tiempo: Asincrónico
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Temperatura de funcionamiento máximo: + 85 C
Empaquetado: Bandeja
Arquitectura: Eclipse
Tipo de la memoria: NI
Humedad sensible: Sí
Velocidad: 100 ns
Cantidad del paquete de la fábrica: 910
Subcategoría: Almacenamiento de la memoria y de datos
Corriente de la fuente - máxima: 60 mA

 

 

Características distintivas

 

 Cmos base de 3,0 voltios con la entrada-salida versátil

tecnología del eclipse del nanómetro MirrorBit del  65

sola fuente del  (VCC) para la lectura/el programa/el borrado (2,7 V a 3,6 V)

característica versátil de la entrada-salida del  – gama ancha del voltaje de la entrada-salida (VIO): 1,65 V a VCC

ómnibus de datos del  ×16

la página asincrónica de 32 bytes del  leyó

 almacenador intermediario programado de 512 bytes – programando en múltiplos de la página, hasta un máximo de 512 bytes

sola palabra del  y programa múltiple sobre las mismas opciones de la palabra

comprobación de errores y corrección automáticas (ECC) – ECC interno del  del hardware con la corrección de error de un solo bit

borrado del sector del  – uniforme 128 sectores del kilobyte

el  suspende y reanuda los comandos para las operaciones del programa y del borrado.

Memoria de semiconductor S29GL01GS10TFI010 IC TSOP-56 1 Gbit ni interfaz paralela de destello 0

 

 

 

 

etiqueta:

SN74AC00DR 2 Nand Gate entrado

Microprocesador del circuito integrado de SN74LV4040ADR

Puertas de lógica SN74AC00DR

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