Walton Electronics Co., Ltd.

Los circuitos integrados Rs-422 de AM26C32IPWR Eletronic interconectan la línea microprocesadores electrónicos de la diferencia del patio de IC del receptor de Rcvr

Datos del producto:
Lugar de origen: original
Nombre de la marca: Original
Número de modelo: AM26C32IPWR
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10PCS
Precio: Contact us to win best price
Detalles de empaquetado: Estándar
Tiempo de entrega: 1-3workdays
Condiciones de pago: L/C, T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 10000pcs/months
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  • Descripción de producto

Información detallada

Descripción de producto: Circuito integrado del interfaz RS-422 Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caso: TSSOP-16 Serie: AM26C32
Tarifa de datos: 10 Mb/s Empaquetado: la cinta/el MouseReel bienales del corte del carrete
Peso de unidad: magnesio 62
Alta luz:

Circuitos integrados de AM26C32IPWR

,

10 interfaz IC de Mb/s Rs-422

Descripción de producto

AM26C32 línea diferenciada cuádruple receptor

 

Características 1

 

• Cumple o excede los requisitos de la recomendación V.10 y V.11 del ANSI TIA/EIA-422-B, de TIA/EIA-423-B, y del ITU
• Energía baja, ICC = 10 mA de típico

• gama del Común-modo de ±7-V con sensibilidad de ±200-mV
• Histéresis entrada: 60 milivoltio típicos
• tpd = 17 ns típicos

• Actúa desde una sola fuente 5-V

• salidas 3-State
• Conjunto de circuitos a prueba de averías entrado
• Reemplazos mejorados para el dispositivo AM26LS32
• Disponible en los Q-temporeros automotrices


2 usos


• Usos automotrices de la Alto-confiabilidad
• Automatización de fábricas
• cajero automático y contadores de efectivo
• Rejilla elegante
• Impulsiones de la CA y del motor servo

 

Descripción 3

 

El dispositivo AM26C32 es una línea diferenciada cuádruple receptor para la transmisión de datos digitales equilibrada o desequilibrada. Permita la función es común a los cuatro receptores y ofrece una opción de la entrada activo-alta o activo-baja.

Las 3 salidas del estado permiten la conexión directamente a un sistema busorganized. El diseño a prueba de averías especifica que si las entradas están abiertas, las salidas son siempre altas.

Los dispositivos AM26C32 se fabrican usando un proceso de BiCMOS, que es una combinación de transistores bipolares y del Cmos. Este proceso provee del alto voltaje y de la corriente de bipolar la energía baja del Cmos de reducir el consumo de energía a cerca de un quinto el del AM26LS32 estándar, mientras que mantiene funcionamiento de la CA y de DC.
Información del dispositivo (1)

 

 

Pin Functions

PIN

 

Entrada-salida

 

DESCRIPCIÓN

NOMBRE

LCCC

SOIC, PDIP, ASÍ PUES, TSSOP, CFP, o CDIP

1A

3

2

Yo

Entrada diferenciada RS422/RS485 (el noninverting)

1B

2

1

Yo

Entrada diferenciada RS422/RS485 (inversión)

1Y

4

3

O

Salida del nivel de la lógica

2A

8

6

Yo

Entrada diferenciada RS422/RS485 (el noninverting)

2B

9

7

Yo

Entrada diferenciada RS422/RS485 (inversión)

2Y

7

5

O

Salida del nivel de la lógica

3A

13

10

Yo

Entrada diferenciada RS422/RS485 (el noninverting)

3B

12

9

Yo

Entrada diferenciada RS422/RS485 (inversión)

3Y

14

11

O

Salida del nivel de la lógica

4A

18

14

Yo

Entrada diferenciada RS422/RS485 (el noninverting)

4B

19

15

Yo

Entrada diferenciada RS422/RS485 (inversión)

4Y

17

13

O

Salida del nivel de la lógica

G

5

4

Yo

Activo-alto seleccione

G

15

12

Yo

Activo-bajo seleccione

Tierra

10

8

Tierra

 

NC (1)

1

 

 

 

 

 

 

No conecte

6

11

16

VCC

20

16

Fuente de alimentación

(1) NC – ninguna conexión interna.

 

Especificaciones

 

4,1 grados máximos absolutos

sobre la gama de temperaturas de funcionamiento del libre-aire (a menos que se indicare en forma diferente) (1)
  MINUTO MAX UNIDAD
VCC voltaje de fuente (2) 7 V
VI voltaje entrado Entradas o de B – 11 14

 

V

Entradas de G o de G – 0,5 VCC + 0,5
Voltaje de entrada diferenciada de VID – 14 14 V
Voltaje de salida del Vo – 0,5 VCC + 0,5 V
Corriente de salida del IO ±25 mA
Temperatura de almacenamiento de Tstg -65 150 °C

(1) las tensiones más allá de ésas enumeradas bajo grados máximos absolutos pueden causar daño permanente al dispositivo. Éstos son los grados de la tensión solamente, que no implican la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones más allá de ésos indicados bajo condiciones de funcionamiento recomendadas. La exposición a las condiciones absoluto-máximo-clasificadas por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

(2) todos los valores del voltaje, excepto voltajes diferenciados, están en cuanto al terminal de tierra de la red.

 

 

4,1 grados del ESD

  VALOR UNIDAD

 

Descarga electrostática de V (ESD)

Modelo del cuerpo humano (HBM), por ANSI/ESDA/JEDEC JS- 001(1) ±3000

 

V

modelo del Cargar-dispositivo (CDM), por la especificación JESD22- C de JEDEC 101(2) ±2000

(1) el documento JEP155 de JEDEC indica que 500-V HBM permite la fabricación segura con un proceso estándar del control del ESD.

(2) el documento JEP157 de JEDEC indica que 250-V CDM permite la fabricación segura con un proceso estándar del control del ESD.

 

4,2 condiciones de funcionamiento recomendadas

sobre gama de temperaturas de funcionamiento del libre-aire (a menos que se indicare en forma diferente)
  MINUTO NOM Max UNIDAD
VCC Voltaje de fuente   4,5 5 5,5 V
VIH Voltaje de entrada de alto nivel   2   Vcc V
VIL Voltaje de entrada de bajo nivel   0   0,8 V
VIC voltaje de entrada del Común-modo   -7   +7 V
IOH Corriente de salida de alto nivel   – 6 mA
IOL Corriente de salida de bajo nivel   6 mA

 

 

TA

 

 

Temperatura de funcionamiento del libre-aire

AM26C32C 0   70

 

 

°C

AM26C32I – 40   85
AM26C32Q – 40   125
AM26C32M – 55   125

 

4,3 información la termal

 

MÉTRICO TERMAL (1)

AM26C32

 

UNIDAD

D (SOIC) N (PDIP) NS (TAN) PICOVATIO (TSSOP)
16 PERNOS 16 PERNOS 16 PERNOS 16 PERNOS
Resistencia termal Empalme-a-ambiente de RθJA 73 67 64 108 °C/W

(1) para más información sobre métrica termal tradicional y nueva, vea el informe termal del uso de la métrica del semiconductor y del paquete de IC, SPRA953.

 

4,1 características eléctricas

sobre gama de temperaturas de funcionamiento del libre-aire (a menos que se indicare en forma diferente)
PARÁMETRO CONDICIONES DE PRUEBA MINUTO TIPO (1) Max UNIDAD
VIT+ Voltaje diferenciado del alto-umbral de la entrada

Vo = VOH (minuto), IOH = – 440

µA

VIC = – 7 V a 7 V 0,2

 

V

VIC = 0 V a 5,5 V 0,1
VIT- Voltaje diferenciado del bajo-umbral de la entrada Vo = 0,45 V, IOL = 8 mA VIC = – 7 V a 7 V – 0.2(2)

 

V

VIC = 0 V a 5,5 V – 0.1(2)
Vhys Voltaje de la histéresis (VIT +− de VIT)   60 milivoltio
VIK Permita el voltaje de la abrazadera de la entrada VCC = 4,5 V, II = – 18 mA – 1,5 V
VOH Voltaje de salida de alto nivel VID = 200 milivoltio, IOH = – 6 mA 3,8 V
Vol. Voltaje de salida de bajo nivel VID = – 200 milivoltio, IOL = 6 mA   0,2 0,3 V
IOZ corriente de salida del Apagado-estado (estado de alta impedancia) Vo = VCC o tierra   ±0.5 ±5 µA
II

 

Corriente de entrada de línea

VI = 10 V, la otra entrada en 0 V 1,5 mA
VI = – 10 V, la otra entrada en 0 V – 2,5 mA
IIH El nivel permite actual VI = 2,7 V 20 μA
ENFERMEDAD De bajo nivel permita la corriente VI = 0,4 V – 100 μA
ri Resistencia entrada Una entrada a moler 12 17  
ICC Corriente quieta de la fuente VCC = 5,5 V   10 15 mA

(1) todos los valores típicos están en VCC = 5 V, VIC = 0, y TA = 25°C.

(2) utilizan al convenio algebraico, en quien cuanto menos el límite del positivo (más negativo) se señala mínimo, en esta hoja de datos para el voltaje de entrada común del modo.

 

4,1 características que cambian

sobre gama de temperaturas de funcionamiento del libre-aire, CL = 50 PF (a menos que se indicare en forma diferente)

 

PARÁMETRO

 

CONDICIONES DE PRUEBA

AM26C32C AM26C32I AM26C32Q AM26C32M

 

UNIDAD

MINUTO TIPO (1) Max MINUTO TIPO (1) Max
tPLH Tiempo de retraso de propagación, bajo a la salida de alto nivel

 

 

Véase el cuadro 2

9 17 27 9 17 27 ns
tPHL Tiempo de retraso de propagación, alto a la salida de bajo nivel 9 17 27 9 17 27 ns
tTLH Tiempo de transición de la salida, bajo a la salida de alto nivel

 

 

Véase el cuadro 2

  4 9   4 10 ns
tTHL Tiempo de transición de la salida, alto a la salida de bajo nivel   4 9   4 9 ns
tPZH La salida permite tiempo al nivel

 

Véase el cuadro 3

  13 22   13 22 ns
tPZL La salida permite tiempo a de bajo nivel   13 22   13 22 ns
tPHZ Tiempo de neutralización de salida del nivel

 

Véase el cuadro 3

  13 22   13 26 ns
tPLZ Tiempo de neutralización de salida de bajo nivel   13 22   13 25 ns

(1) todos los valores típicos están en VCC = 5 V, TA = 25°C.

 

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