Walton Electronics Co., Ltd.

MOSFET discreto de los transistores de los semiconductores de los semiconductores de IPD350N06LG

Datos del producto:
Lugar de origen: original
Nombre de la marca: Original
Certificación: ISO9001:2015standard
Número de modelo: IPD350N06LG
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact us to win best offer
Detalles de empaquetado: Estándar
Tiempo de entrega: 1-3workdays
Condiciones de pago: L/C, T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 10000pcs/months
  • Información detallada
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Información detallada

Paquete: TO-252-3 Montaje de estilo: SMD/SMT
D/C: El más nuevo CONDICIÓN: A estrenar y original
plazo de ejecución: en existencia
Alta luz:

Transistor IPD350N06LG del Mosfet

,

Transistores de los semiconductores de 1 Mosfet del canal N

,

Mosfet IPD350N06LG del aumento

Descripción de producto

Cualidad de producto Valor del atributo
MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Canal N
1 canal
60 V
29 A
35 mOhms
- 20 V, + 20 V
1,2 V
10 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Aumento
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 20 ns
Altura: 2,3 milímetros
Longitud: 6,5 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 21 ns
Serie: OptiMOS 2
2500
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 29 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 6 ns
Anchura: 6,22 milímetros
Parte # alias: IPD35N6LGXT SP000443746 IPD350N06LGBTMA1
Peso de unidad: 0,139332 onzas

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