IPB200N25N3G Semiconductors Discrete Transistors Original And New MOSFET

Transistores discretos de los semiconductores de IPB200N25N3G originales y nuevo MOSFET

Name: Transistores discretos de los semiconductores de IPB200N25N3G originales y nuevo MOSFET
Brand: Original
SKU: IPB200N25N3G
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (138 reviews)

Datos del producto:
Lugar de origen:	original
Nombre de la marca:	Original
Certificación:	ISO9001:2015standard
Número de modelo:	IPB200N25N3G
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact us to win best offer
Detalles de empaquetado:	Estándar
Tiempo de entrega:	1-3workdays
Condiciones de pago:	L/C, T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:	10000pcs/months

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Información detallada
Descripción de producto

Información detallada
Paquete:	TO-263-3	D/C:	El más nuevo
CONDICIÓN:	A estrenar y original	plazo de ejecución:	en existencia
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Alta luz:	Transistores discretos de los semiconductores , Transistor de poder del Mosfet IPB200N25N3G , 1 transistor de poder del Mosfet del canal N

Descripción de producto

Cualidad de producto	Valor del atributo
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	TO-263-3
Polaridad del transistor:	Canal N
Número de canales:	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	250 V
Identificación - corriente continua del dren:	64 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	mOhms 17,5
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	2 V
Qg - carga de la puerta:	86 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 175 C
Paladio - disipación de poder:	300 W
Modo del canal:	Aumento
Marca registrada:	OptiMOS
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Configuración:	Solo
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera - minuto:	61 S
Altura:	4,4 milímetros
Longitud:	10 milímetros
Tipo de producto:	MOSFET
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	OptiMOS 3
	1000
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo del transistor:	1 canal N
Tipo:	Poder-transistor de OptiMOS 3
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:	45 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:	18 ns
Anchura:	9,25 milímetros
Parte # alias:	SP000677896 IPB2N25N3GXT IPB200N25N3GATMA1
Peso de unidad:	0,139332 onzas

etiqueta:

SN74AC00DR 2 Nand Gate entrado

Microprocesador del circuito integrado de SN74LV4040ADR

Puertas de lógica SN74AC00DR

Shenzhen Walton Electronics Co. , Ltd.

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