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Inicio ProductosTantalio Chip CapacitorsSemiconductores del canal N ADM213EARSZ-REEL BCM88381CA1KFSBG del MOSFET 1 de CSD18532Q5B
CSD18532Q5B MOSFET 1 N Channel ADM213EARSZ-REEL BCM88381CA1KFSBG Semiconductors
CSD18532Q5B MOSFET 1 N Channel ADM213EARSZ-REEL BCM88381CA1KFSBG Semiconductors CSD18532Q5B MOSFET 1 N Channel ADM213EARSZ-REEL BCM88381CA1KFSBG Semiconductors

Semiconductores del canal N ADM213EARSZ-REEL BCM88381CA1KFSBG del MOSFET 1 de CSD18532Q5B

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Nombre de la marca: Original
Certificación: ISO9001:2015standard
Número de modelo: CSD18532Q5B
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: Contact us to win best offer
Detalles de empaquetado: Estándar
Tiempo de entrega: días 1-3week
Condiciones de pago: L/C, T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 10000pcs/months
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  • Información detallada
  • Descripción de producto

Información detallada
Estilo de la instalación: SMD/SMT Paquete/caja: VSON-CLIP-8
Polaridad del transistor: Canal N Configuración: Solo
Tipo del transistor: 1 canal N Peso de unidad: magnesio 120,500

Descripción de producto

Semiconductores del canal N ADM213EARSZ-REEL BCM88381CA1KFSBG del MOSFET 1 de CSD18532Q5B

 

Características

• Qg y Qgd ultrabajos

• Resistencia Bajo-termal

• Avalancha clasificada

• Nivel de la lógica

• Galjanoplastia terminal sin plomo

• RoHS obediente

• Halógeno libre

• HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

 

Usos

• Conversión de DC-DC

• Rectificador síncrono lateral secundario

• Interruptor lateral primario aislado del convertidor

• Control de motor

 

Descripción

Este 2,5 mΩ, HIJO 60-V MOSFET del poder de 5 del milímetro milímetros NexFET™ del × 6 se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.

 

Semiconductores del canal N ADM213EARSZ-REEL BCM88381CA1KFSBG del MOSFET 1 de CSD18532Q5B 0Semiconductores del canal N ADM213EARSZ-REEL BCM88381CA1KFSBG del MOSFET 1 de CSD18532Q5B 1

 

 

 

Categoría de producto: MOSFET
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
Canal N
1 canal
60 V
172 A
3,2 mOhms
- 20 V, + 20 V
1,5 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Aumento
Carrete
Corte la cinta
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 3,1 ns
Transconductancia delantera - minuto: 143 S
Altura: 1 milímetro
Longitud: 6 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 7,2 ns
Serie: CSD18532Q5B
2500
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 22 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 5,8 ns
Anchura: 5 milímetros
Peso de unidad: 0,004251 onzas

etiqueta:

Condensadores de cerámica de múltiples capas MLCC 18pF

Condensadores de cerámica GRM1555C1H180JA01

Condensadores de cerámica de múltiples capas C0G

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