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April 28, 2022
Transistores complementarios de Darlington del poder de la baja tensión
CARACTERÍSTICAS
• Voltaje de saturación bajo del colector-emisor
• NPN complementario - transistores de PNP
Uso
• Linear de fines generales y el cambiar
Descripción
Los dispositivos se fabrican en tecnología planar con la disposición de la “isla baja” y la configuración monolítica de Darlington. Los transistores resultantes muestran funcionamiento excepcional de la alta ganancia juntados con voltaje de saturación muy bajo.
| Darlington Transistors | |
| RoHS: | Detalles |
| Solo | |
| PNP | |
| 100 V | |
| 5 V | |
| 100 V | |
| 5 A | |
| 200 UA | |
| A través del agujero | |
| TO-220-3 | |
| + 150 C | |
| TIP127 | |
| Tubo | |
| Colector de DC/minuto bajo del hfe del aumento: | 1000 |
| Altura: | 9,15 milímetros |
| Longitud: | 10,4 milímetros |
| Tipo de producto: | Darlington Transistors |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 1000 |
| Subcategoría: | Transistores |
| Anchura: | 4,6 milímetros |
| Peso de unidad: | 6 g |
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